发明名称 颗粒状多晶硅及其制备
摘要 本发明涉及颗粒状多晶硅及其制备。具体地涉及凸度为0.850-1.000,氯含量为10-40ppmw的颗粒状多晶硅;并涉及在流化床反应器中制备颗粒状多晶硅的方法,包括:借助于由加热装置加热的流化床中气流使硅晶种颗粒流化,加入含硅和卤素的反应气体,通过热解使元素硅在热晶种颗粒表面沉积,形成颗粒状多晶硅,从反应器中去除由于沉积直径已长成的颗粒和包含卤化氢的废气并计量加入新晶种颗粒;特征在于测定废气中卤化氢浓度作为控制变量并控制新的晶种颗粒的计量加入速率和加热装置的热输出量作为操作变量,使操作期间废气中卤化氢浓度保持在以上述范围,且进一步特征在于颗粒状多晶硅包含凸度为0.850-1.000的颗粒。
申请公布号 CN103373730A 申请公布日期 2013.10.30
申请号 CN201310132657.9 申请日期 2013.04.17
申请人 瓦克化学股份公司 发明人 D·韦克塞尔;R·豪斯维特
分类号 C01B33/03(2006.01)I 主分类号 C01B33/03(2006.01)I
代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人 祁丽;于辉
主权项 颗粒状多晶硅,具有10‑40ppmw的氯含量,颗粒具有0.850‑1.000的凸度。
地址 德国慕尼黑