沟槽式功率半导体结构的制造方法

摘要

本发明提供一种沟槽式功率半导体结构的制造方法。所述方法包括下列步骤：提供基板并形成第一磊晶层于基板上；形成介电层在第一磊晶层上；形成遮蔽层于介电层上，并移除部分遮蔽层与介电层，以形成遮蔽结构与介电结构在第一磊晶层上，其中遮蔽结构堆栈在介电结构上；以选择性磊晶成长技术，形成第二磊晶层覆盖在裸露的第一磊晶层上，并环绕介电结构与遮蔽结构；移除遮蔽结构以形成沟槽在介电结构上方；形成栅极氧化层在沟槽的内侧表面，形成导电结构在沟槽内；上述第二磊晶层内具有以磊晶成长或是离子植入方式形成的本体区与源极区。本发明制造过程简单，可以准确地控制栅极沟槽底部的氧化层厚度，并且降低栅极电荷，以达到降低切换损失的效果。

主权项

一种沟槽式功率半导体结构的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基板；形成一第一磊晶层在该基板上；形成一介电层在该第一磊晶层上；形成一遮蔽层在该介电层上；移除部分该遮蔽层与该介电层，以形成一遮蔽结构与一介电结构在该第一磊晶层上，且该遮蔽结构堆栈在该介电结构上；以选择性磊晶成长技术，形成一第二磊晶层覆盖在裸露的该第一磊晶层，并环绕该介电结构与该遮蔽结构；移除该遮蔽结构，以形成一沟槽在该介电结构上方；形成一栅极氧化层在该沟槽的内侧表面；以及形成一导电结构在该沟槽内；其中，该第二磊晶层内具有一本体区与一源极区。