| 发明名称 | 半导体发光装置、发光二极管阵列及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体发光装置、发光二极管阵列及其制造方法。半导体发光装置包括一基板及一第一外延结构位于基板之上。第一外延结构包括一第一掺杂层、一第一发光层、及一第二掺杂层。一第一电极耦合于第一掺杂层。一第二电极耦合于第二掺杂层且与第一电极面向相同之方向。一第二外延结构包括一第三掺杂层、一第二发光层、及一第四掺杂层。一第三电极耦合于第三掺杂层且与第一电极面向相同之方向。一第四电极耦合于第四掺杂层且与第一电极面向相同之方向。一黏着层位于第一外延结构和第二外延结构之间。 | ||
| 申请公布号 | CN103378122A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201210366294.0 | 申请日期 | 2012.09.27 |
| 申请人 | 华夏光股份有限公司 | 发明人 | 张源孝;卢怡安 |
| 分类号 | H01L27/15(2006.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L27/15(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 梁挥;常大军 |
| 主权项 | 一种半导体发光装置，其特征在于，包括：一基板；一第一外延结构位于该基板之上，该第一外延结构包括一第一掺杂层、一第一发光层及一第二掺杂层；一第一电极耦合于该第一掺杂层；一第二电极耦合于该第二掺杂层，且该第二电极与该第一电极面向相同的方向；一第二外延结构，包括一第三掺杂层、一第二发光层及一第四掺杂层；一第三电极耦合于该第三掺杂层，且该第三电极与该第一电极面向相同的方向；一第四电极耦合于该第四掺杂层，且该第四电极与该第一电极面向相同的方向；以及一黏着层位于该第一外延结构和该第二外延结构之间。 | ||
| 地址 | 开曼群岛大开曼岛阿格兰屋邮政信箱309 | ||