| 发明名称 | 绝缘膜的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供可形成均匀且具有高的填充密度、并且缺陷少的绝缘膜的方法。一种绝缘膜的形成方法，其中，在基板表面涂布包含二氧化硅微粒、聚合物、表面活性剂和分散介质的二氧化硅分散液，接着涂布聚硅氮烷组合物，然后进行加热而形成绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN103380487A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201280008540.3 | 申请日期 | 2012.02.17 |
| 申请人 | AZ电子材料IP（日本）株式会社 | 发明人 | 高野祐辅;长原达郎;S·尼纳德;岩田孝文 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三幸商标专利事务所 11216 | 代理人 | 刘激扬 |
| 主权项 | 一种绝缘膜的形成方法，其特征在于，其包含如下工序：(1)二氧化硅微粒涂布工序，将包含二氧化硅微粒、聚合物、表面活性剂和分散介质的二氧化硅分散液涂布于基板表面，(2)聚硅氮烷涂布工序，在涂布了二氧化硅分散液的基板表面进一步涂布聚硅氮烷组合物，以及(3)加热工序，将涂布了聚硅氮烷组合物的基板进行加热从而将聚硅氮烷转化为二氧化硅，形成包含所述二氧化硅微粒以及源自聚硅氮烷的二氧化硅的绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||