| 发明名称 | MOSFET及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种MOSFET及其制造方法，其中该MOSFET包括：半导体衬底；在半导体衬底中形成的源/漏区；在半导体衬底中形成并且夹在源/漏区之间的沟道区；位于沟道区上方和源/漏区的一部分上方的栅极电介质；以及位于栅极电介质上方并且延伸到源/漏区上方的栅极导体。该MOSFET可以减小寄生电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN103378149A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201210118877.1 | 申请日期 | 2012.04.20 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱正勇;骆志炯;陈率 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种MOSFET，包括：半导体衬底；在半导体衬底中形成的源/漏区；在半导体衬底中形成并且夹在源/漏区之间的沟道区；位于沟道区上方和源/漏区的一部分上方的栅极电介质；以及位于栅极电介质上方并且延伸到源/漏区上方的栅极导体。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||