发明名称 | 提供多个保护级别的ESD保护电路 | ||
摘要 | 本发明涉及提供多个保护级别的静电放电(ESD)保护电路。静电放电(ESD)保护电路包括具有半导体表面的衬底。多个堆叠ESD保护单元在半导体表面中,每个ESD保护单元具有围绕的隔离结构,其中ESD保护单元通过互连串联连接,并且包括至少与第二ESD保护单元串联的第一ESD保护单元。多个保护管脚包括跨第一ESD保护单元但不跨第二ESD保护单元的第一保护管脚,从而提供第一额定电压,以及跨第一和第二ESD保护单元两者的第二保护管脚,从而提供比第一额定电压更高的第二额定电压。 | ||
申请公布号 | CN103378091A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
申请号 | CN201310148998.5 | 申请日期 | 2013.04.26 |
申请人 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 发明人 | M·迪塞尼亚;G·博塞利 |
分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民 |
主权项 | 一种静电放电即ESD保护电路,其包括:衬底,其具有半导体表面;在所述半导体表面中的多个堆叠ESD保护单元,所述多个堆叠ESD保护单元的每个具有围绕的隔离结构,其中所述多个堆叠ESD保护单元通过互连而串联连接并且包括至少与第二ESD保护单元串联的第一ESD保护单元,以及多个保护管脚,其包括:跨所述第一ESD保护单元但不跨所述第二ESD保护单元的第一保护管脚,以提供第一额定电压;以及跨所述第一和所述第二ESD保护单元两者的第二保护管脚,以提供比所述第一额定电压更高的第二额定电压。 | ||
地址 | 美国德克萨斯州 |