| 发明名称 | 制备易脱模纳米压印印章的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制备易脱模纳米压印印章的方法，该方法的工艺步骤如下：a、利用低熔点的金属加工形成原始印章；b、将原始印章隔空倒置，对原始印章凸起部分的根部、中部和顶端分别采用数量逐渐增加的加热热源进行加热，使得印章凸起部分的顶端比根部尖；c、冷却定形后，得到该纳米压印印章。本发明工艺过程比较简单方便，而且有利于纳米压印时脱模。 | ||
| 申请公布号 | CN102602124B | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201210072377.9 | 申请日期 | 2012.03.19 |
| 申请人 | 河海大学常州校区 | 发明人 | 孙洪文;仇浩;朱玉峰;万萍;范瑞 |
| 分类号 | B41C1/00(2006.01)I;B41K1/02(2006.01)I | 主分类号 | B41C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 常州市科谊专利代理事务所 32225 | 代理人 | 孙彬 |
| 主权项 | 一种制备易脱模纳米压印印章的方法，其特征在于该方法的工艺步骤如下：a、利用低熔点的金属加工形成原始印章；b、将原始印章隔空倒置，对原始印章凸起部分的根部、中部和顶端分别采用数量逐渐增加的加热热源进行加热，使得印章凸起部分的顶端比根部尖；c、冷却定形后，得到该纳米压印印章。 | ||
| 地址 | 213022 江苏省常州市新北区晋陵北路200号 | ||