静电释放保护结构及其制造方法

摘要

本发明涉及一种静电释放保护结构，包括：衬底，具有第一导电类型；阱区，具有第二导电类型；衬底接触区，设于衬底内，具有第一导电类型；阱区接触区，设于阱区内，具有第二导电类型；衬底反掺杂区，位于衬底接触区和阱区接触区之间，具有第二导电类型；阱区反掺杂区，位于衬底接触区和阱区接触区之间，具有第一导电类型；连通区，设于衬底和阱区的横向交界处；第一隔离区，处于衬底反掺杂区和连通区之间；第二隔离区，处于阱区反掺杂区和连通区之间；氧化层，一端设于第一隔离区上，另一端设于衬底上；场板结构，设于氧化层上。本发明还涉及一种静电释放保护结构制造方法。本发明可通过调节场板结构的宽度和位置来调整开启电压。

主权项

一种静电释放保护结构，其特征在于，包括：衬底，具有第一导电类型；阱区，设于所述衬底内，具有第二导电类型；衬底接触区，设于所述衬底内，具有所述第一导电类型；阱区接触区，设于所述阱区内，具有所述第二导电类型；衬底反掺杂区，设于所述衬底内，且位于所述衬底接触区和阱区接触区之间，具有所述第二导电类型；阱区反掺杂区，设于所述阱区内，且位于所述衬底接触区和阱区接触区之间，具有所述第一导电类型；连通区，设于所述衬底和阱区的横向交界处，且设于所述衬底反掺杂区和阱区反掺杂区之间，直接接触所述衬底和阱区；第一隔离区，设于所述衬底内，且处于所述衬底反掺杂区和连通区之间；第二隔离区，设于所述阱区内，且处于所述阱区反掺杂区和连通区之间；氧化层，靠近所述连通区设置，所述氧化层一端设于所述第一隔离区上，另一端设于所述衬底上；或所述氧化层一端设于所述第二隔离区上，另一端设于所述阱区上；所述氧化层不与所述连通区直接接触；场板结构，设于所述氧化层上。