发明名称 |
鳍式场效应管及其形成方法 |
摘要 |
鳍式场效应管及其形成方法,其中一种鳍式场效应管,包括:半导体衬底,所述半导体衬底表面具有绝缘层和鳍部,所述鳍部贯穿所述绝缘层、且所述鳍部高于绝缘层表面;所述鳍部顶部的晶面为(100),所述鳍部侧壁的晶面为(110),且对于n沟道鳍式场效应管,所述鳍部顶部与侧壁的面积之比小于等于3∶1,对于p沟道鳍式场效应管,所述鳍部顶部与侧壁的面积之比大于3∶1;横跨所述鳍部的顶部和侧壁的栅极结构;位于所述栅极结构两侧的鳍部表面的应力衬垫层。本发明实施例的鳍式场效应管的载流子迁移率高,器件性能好。 |
申请公布号 |
CN103378152A |
申请公布日期 |
2013.10.30 |
申请号 |
CN201210122575.1 |
申请日期 |
2012.04.24 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
三重野文健 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/04(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种鳍式场效应管,包括:半导体衬底,所述半导体衬底表面具有绝缘层和鳍部,所述鳍部贯穿所述绝缘层、且所述鳍部高于绝缘层表面;其特征在于,所述鳍部顶部的晶面为(100),所述鳍部侧壁的晶面为(110),且对于n沟道鳍式场效应管,所述鳍部顶部与侧壁的面积之比小于等于3∶1,对于p沟道鳍式场效应管,所述鳍部顶部与侧壁的面积之比大于3∶1;横跨所述鳍部的顶部和侧壁的栅极结构;位于所述栅极结构两侧的鳍部表面的应力衬垫层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |