Ⅲ族氮化物HEMT器件

摘要

本发明公开了一种Ⅲ族氮化物HEMT器件，包括源、漏电极，主、副栅，绝缘介质层以及异质结构，源、漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，异质结构包括第一、第二半导体，第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，第一半导体设置于源、漏电极之间，主栅设置于第二半导体表面靠近源电极一侧，并与第二半导体形成肖基特接触；介质层形成于第二半导体和主栅表面，并设置在源、漏电极之间；副栅形成于介质层表面，且其至少一侧边缘向源电极或漏电极方向延伸，同时其正投影与主栅两侧边缘均交叠。本发明能从根本上有效抑制“电流崩塌效应”。

主权项

一种Ⅲ族氮化物HEMT器件，包括源电极、漏电极以及异质结构，所述源电极与漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，所述异质结构包括第一半导体和第二半导体，所述第一半导体设置于源电极和漏电极之间，所述第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，其特征在于，所述HEMT器件还包括主栅、绝缘介质层和副栅，其中：所述主栅设置于第二半导体表面靠近源电极一侧，并与第二半导体形成肖基特接触；所述介质层形成于第二半导体和主栅表面，并设置在所述源电极和漏电极之间；所述副栅形成于介质层表面，且其至少一侧边缘向源电极或漏电极方向延伸，同时其正投影与主栅两侧边缘均交叠；并且，在所述HEMT器件工作时，所述主栅和副栅分别由一控制信号控制，且在所述HEMT器件处于导通状态时，所述副栅控制信号的电位高于主栅控制信号的电位。