| 发明名称 | 减小LER的方法及实施该方法的装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种减小线边缘粗糙度(LER)的方法以及实施该方法的装置。该方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成半导体器件，所述半导体器件包括特定特征结构；平行于特定特征结构方向、并与半导体衬底表面呈倾斜角度对特定特征结构进行离子/等离子体刻蚀。由此，可以有效减小由LER导致的器件性能恶化。 | ||
| 申请公布号 | CN102254808B | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201010181618.4 | 申请日期 | 2010.05.19 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所;北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 骆志炯;尹海洲;朱慧珑 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种减小半导体器件中特征结构的线边缘粗糙度LER的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成半导体器件，所述半导体器件包括特定特征结构；平行于所述特定特征结构方向、并与所述半导体衬底表面呈倾斜角度对所述特定特征结构进行离子/等离子体刻蚀，其中，所述倾斜角度相对于半导体衬底的法线方向定义，且小于45°。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||