| 发明名称 | 场效应晶体管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种场效应晶体管及其制作方法，所述制作方法包括：提供衬底；在衬底上形成氧化硅层；在氧化硅层表面的部分区域形成源漏端底部接触金属；在氧化硅层和源漏端底部接触金属上形成石墨烯沟道层；在石墨烯沟道层的源漏端底部接触金属所在区域的上方形成源端和漏端；去除位于源端和漏端之间的至少部分的氧化硅层，在石墨烯沟道层下方形成空腔；在源端和漏端之间的石墨烯沟道层上形成栅结构。本发明通过去除与石墨烯沟道层相接触的氧化硅层，减轻了SiO2薄膜对石墨烯带来的“污染”，提高源端和漏端之间石墨烯沟道层载流子迁移率；通过增加源/漏端的接触金属，减小了沟道区电阻率，使得制得的石墨烯场效应管具有更小的源漏极接触电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN103377887A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201210122592.5 | 申请日期 | 2012.04.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 张海洋;王新鹏 |
| 分类号 | H01L21/04(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成氧化硅层；在所述氧化硅层表面的部分区域形成源漏端底部接触金属；在所述氧化硅层和所述源漏端底部接触金属上形成石墨烯沟道层；在所述石墨烯沟道层的源漏端底部接触金属所在区域的上方形成源端和漏端；去除位于源端和漏端之间的至少部分的氧化硅层，在石墨烯沟道层下方形成空腔；在源端和漏端之间的所述石墨烯沟道层上形成栅结构。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||