用于在半导体基底内部形成空腔的方法

摘要

一种用于在半导体基底内部形成至少一个空腔的方法包括：从半导体基底表面开始，在至少一个预期的空腔位置处对半导体基底进行干法蚀刻，以便得到至少一个临时空腔。这种方法还包括鉴于后续湿法蚀刻过程在半导体基底表面和该至少一个临时空腔的空腔表面沉积保护材料。另外，这种方法包括至少在该至少一个临时空腔的底部的一个部段处去除保护材料，以便露出该半导体基底。然后，在该至少一个临时空腔的底部的露出的部段处对半导体基底进行电化学蚀刻。用于生产微机械传感器系统的方法已经同样被公开，在微机械传感器系统中采用这种空腔形成方式。此外，还公开了相应的微机电系统（MEMS）。

主权项

一种用于在半导体基底内部形成至少一个空腔的方法，所述方法包括：从半导体基底表面开始，在至少一个预期的空腔位置处对所述半导体基底进行干法蚀刻，以便得到至少一个临时空腔；鉴于后续湿法蚀刻过程在所述半导体基底表面和所述至少一个临时空腔的空腔表面处沉积保护材料；至少在所述至少一个临时空腔的底部的一个部段处去除所述保护材料，以便露出所述半导体基底；和在所述至少一个临时空腔的所述底部的露出的所述部段处对所述半导体基底进行电化学蚀刻。