| 发明名称 | 半导体结构的形成方法、晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构的形成方法、一种晶体管的形成方法，其中所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的材料为硅，在所述半导体衬底表面形成半导体层，在所述半导体层表面形成硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层、半导体层和半导体衬底形成若干沟槽；在形成所述沟槽后，去除所述硬掩膜层；在去除硬掩膜层后，对所述半导体衬底和半导体层进行热氧化，使相邻沟槽之间的半导体衬底被完全氧化，在所述沟槽内表面和半导体层顶部形成氧化层；在热氧化后，去除所述氧化层，形成悬空于所述半导体衬底的纳米线。本发明所述半导体结构的形成方法节约成本，所形成的纳米线易与基于硅衬底的其他半导体器件集成。 | ||
| 申请公布号 | CN103377937A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201210122579.X | 申请日期 | 2012.04.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 刘佳磊 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底的材料为硅，在所述半导体衬底表面形成半导体层，在所述半导体层表面形成硬掩膜层；刻蚀所述硬掩膜层、半导体层和半导体衬底形成若干沟槽；在形成所述沟槽后，去除所述硬掩膜层；在去除硬掩膜层后，对所述半导体衬底和半导体层进行热氧化，使相邻沟槽之间的半导体衬底被完全氧化，在所述沟槽内表面和半导体层顶部形成氧化层；在热氧化后，去除所述氧化层，形成悬空于所述半导体衬底的纳米线。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||