| 发明名称 | 防止铜扩散的方法 | ||
| 摘要 | 一种防止铜扩散的方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层、以及位于所述介质层内且表面暴露出来的铜互连线；通过惰性气体等离子体对所述铜互连线表面进行轰击。本发明防止铜扩散的方法通过惰性气体等离子体对形成于半导体衬底上介质层内的铜互连线表面进行轰击，使铜互连线内部的应力释放，细化铜互连线内部晶粒的大小，防止铜互连线中铜原子发生应力迁移；另外，通过惰性气体等离子体对铜互连线进行轰击还可以使铜互连线的表面非晶化，使铜原子不易沿晶面方向发生迁移，提高了包含所述铜互连线的器件的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103377988A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201210113569.X | 申请日期 | 2012.04.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 周鸣 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种防止铜扩散的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层、以及位于所述介质层内且表面暴露出来的铜互连线；通过惰性气体等离子体对所述铜互连线表面进行轰击。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||