发明名称 |
硅通孔结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种硅通孔结构及其制造方法,先通过在背面处理工艺中将预先在通孔中形成的虚拟材料填充移除,然后在背面向通孔中沉积金属阻挡层,并将预先形成的多晶硅盖层转化为自对准金属硅化物,使得本发明的硅通孔结构与其上的互连器件接触的多晶硅界面平整,阻抗降低,从而使得互连器件结构性能提高;进一步地,本发明的硅通孔结构通过在通孔中填充碳纳米管替代铜,提高芯片堆栈的性能。 |
申请公布号 |
CN103377992A |
申请公布日期 |
2013.10.30 |
申请号 |
CN201210121165.5 |
申请日期 |
2012.04.23 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
张海洋;符雅丽 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种硅通孔结构的制造方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底具有前表面和背表面;由所述半导体衬底的前表面刻蚀所述半导体衬底形成一开口;在所述开口的内表面上形成一层绝缘层;在所述开口中依次形成虚拟材料填充和多晶硅盖层;对所述半导体衬底的背表面进行化学机械平坦化,暴露出所述虚拟材料填充的底部表面;移除所述虚拟材料填充,在所述多晶硅盖层表面上形成金属阻挡层,并在所述多晶硅盖层处形成自对准金属硅化物。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |