| 发明名称 | 浅沟槽隔离结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其形成方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底内形成有浅沟槽；在所述浅沟槽内形成第一介质层，所述第一介质层的上表面低于所述衬底的上表面；在所述第一介质层上形成不包含氧的第二介质层，所述第二介质层填充满浅沟槽。根据本发明实施例提供的浅沟槽隔离结构，可以阻断第一介质层的氧扩散途径，避免有源区的氧化硅“再生长”现象，同时也可以减少在浅沟槽隔离结构和有源区的相邻区域形成凹坑的现象。 | ||
| 申请公布号 | CN103377980A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201210113570.2 | 申请日期 | 2012.04.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 李凤莲 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内形成有浅沟槽；在所述浅沟槽内形成第一介质层，所述第一介质层的上表面低于所述衬底的上表面；在所述第一介质层上形成不包含氧的第二介质层，所述第二介质层填充满浅沟槽。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||