浅沟槽隔离结构及其形成方法

摘要

一种浅沟槽隔离结构及其形成方法，其中所述浅沟槽隔离结构的形成方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底表面依次形成衬垫氧化层和硬掩膜层；去除部分硬掩膜层和衬垫氧化层并暴露出半导体衬底表面，以剩余的硬掩膜层和衬垫氧化层为掩膜，在半导体衬底内形成若干开口；在开口侧壁和底部形成衬垫层且衬垫层的材料为掺杂碳的硅、掺杂锗的硅或掺杂碳和锗的硅；在衬垫层表面形成与硬掩膜层表面齐平的绝缘层；去除硬掩膜层、衬垫氧化层以及高于半导体衬底表面的绝缘层。本发明所述浅沟槽隔离结构的形成方法提高了浅沟槽隔离结构的隔离效果，且由所述浅沟槽隔离结构所隔离的半导体衬底表面形成半导体器件时，所述半导体器件的工作性能稳定。

主权项

一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成衬垫氧化层，在所述衬垫氧化层表面形成硬掩膜层；去除部分硬掩膜层和衬垫氧化层并暴露出半导体衬底表面，以剩余的硬掩膜层和衬垫氧化层为掩膜，在所述半导体衬底内形成若干开口；在所述开口侧壁和底部形成衬垫层，且所述衬垫层的材料为掺杂碳的硅、掺杂锗的硅或掺杂碳和锗的硅；在所述衬垫层表面形成绝缘层，且所述绝缘层与所述硬掩膜层表面齐平；去除硬掩膜层、衬垫氧化层以及高于半导体衬底表面的绝缘层。