发明名称 半导体存储器以及数据读取方法
摘要 本发明的目的在于提供针对不正当地读取储存的数据的攻击的耐受性较高的半导体存储器以及数据读取方法。在利用输出部对从存储部读取的数据进行外部输出时,进行如以下的输出控制,其中,存储部根据表示地址的地址信号来读取储存在各地址中的数据。即,在存储部的特定地址中储存有表示是否允许数据的外部输出的输出可否标志,输出部在电源接通后,直到该输出可否标志表示外部输出的允许并且在整个时钟信号的时钟周期的N(N是2以上的整数)倍的期间持续供给表示特定地址的地址信号的期间,禁止数据的外部输出。
申请公布号 CN103377150A 申请公布日期 2013.10.30
申请号 CN201310121257.8 申请日期 2013.04.09
申请人 拉碧斯半导体株式会社 发明人 宫崎聪司;福山弘幸
分类号 G06F12/14(2006.01)I 主分类号 G06F12/14(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 舒艳君;李洋
主权项 一种半导体存储器,其特征在于,包含:存储部,其根据表示地址的地址信号来读取储存在所述地址中的数据;输出部,其对从所述存储部读取的所述数据进行外部输出,在所述存储部的特定地址中储存有表示是否允许所述数据的外部输出的输出可否标志,所述输出部在电源接通后,在直到所述输出可否标志表示为所述外部输出被允许并且在为时钟信号的时钟周期的N倍的期间中持续供给了表示所述特定地址的所述地址信号为止的期间,禁止所述数据的外部输出,其中,N为2以上的整数。
地址 日本东京都