垂直沟道晶体管

摘要

本发明公开了一种垂直沟道晶体管，包括基底，包括至少一对相对设置的第一凹槽和第二凹槽；一埋入式位线，设置于第一凹槽的底部；第一源/漏极区，电连接于埋入式位线；第二源/漏极区，紧邻第一凹槽的顶部；一绝缘栅极导线，埋入第二凹槽的底部；一外延层，设置于第二凹槽内且紧邻于绝缘栅极导线；一扩散区，相对于外延层而设置，其中外延层和扩散区间夹有第一绝缘层；前栅极，位于基底的第一侧面上；及后栅极，位于基底相对于第一侧面的第二侧面上。

主权项

一种垂直沟道晶体管，其特征在于，包括：基底，包括至少一对相对设置的第一凹槽和第二凹槽；埋入式位线，设置于所述第一凹槽的底部；第一源/漏极区，电连接于所述埋入式位线；第二源/漏极区，紧邻所述第一凹槽的顶部；绝缘栅极导线，埋入所述第二凹槽的底部；半导体层，设置于所述第二凹槽内并且紧邻于所述绝缘栅极导线；相对于外延层而设置的扩散区，其中所述外延层和所述扩散区间夹有第一绝缘层；前栅极，位于所述基底的第一侧面上；及后栅极，位于所述基底相对于所述第一侧面的第二侧面上。