| 发明名称 | 具有密度梯度平滑的MOS阵列边缘的布局 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有密度梯度平滑的MOS阵列边缘的布局，其中，将多个单位单元配置为具有部件密度的阵列。阵列的一个或多个边缘与第一边缘子阵列邻接，第一边缘子阵列的部件密度小于阵列的部件密度。第二边缘子阵列与第一边缘子阵列邻接，第二边缘子阵列的部件密度小于第一边缘子阵列的部件密度并且接近背景电路的部件密度。 | ||
| 申请公布号 | CN103377883A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201310153862.3 | 申请日期 | 2013.04.27 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 彭永州;周文升;黄睿政 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种用于半导体器件阵列的多阶梯密度梯度平滑的方法，包括：将多个单位单元配置为阵列，各个单位单元均具有一部件密度；在所述阵列的外围的至少一部分的外侧，将多个第一密度梯度单元配置为第一边缘子阵列，各个第一密度梯度单元的部件密度均小于所述单位单元的部件密度；以及在所述第一边缘子阵列的外围的至少一部分的外侧，将多个第二密度梯度单元配置为第二边缘子阵列，各个第二密度梯度单元的部件密度均小于所述第一密度梯度单元的部件密度。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||