| 发明名称 | 形成具有贯穿硅通孔的散热件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭露一种形成具有贯穿硅通孔的散热件的方法，其中，半导体装置是用从背侧表面伸入半导体衬底的贯穿硅通孔予以形成以供改进式散热。具体实施例包含在衬底的背侧表面中形成凹洞，衬底在前侧表面上包含栅极堆栈，以及以导热材料填充凹洞。 | ||
| 申请公布号 | CN103378020A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201310143438.0 | 申请日期 | 2013.04.23 |
| 申请人 | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 | 发明人 | J·B·谭;Y·K·林;S·N·袁;S·Y·西娅 |
| 分类号 | H01L23/367(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/367(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种方法，其包括：在衬底的背侧表面中形成凹洞，该衬底在前侧表面上包含栅极堆栈；以及以导热材料填充该凹洞。 | ||
| 地址 | 新加坡新加坡城 | ||