发明名称 | 反应气体溅镀装置 | ||
摘要 | 本发明关于一种反应气体溅镀装置,其是在一反应溅镀腔体中设有至少一辅助阳极气体离子源,当溅镀制程进行时,未沉积于基板的残余金属原子,其会喷溅至反应溅镀腔体的内壁或遮蔽板,该金属原子残余物因为未被氧化可能会造成之后的危险,故以该辅助阳极气体离子源,将该残余金属原子氧化为安全的金属氧化物。 | ||
申请公布号 | CN103374701A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
申请号 | CN201210115391.2 | 申请日期 | 2012.04.18 |
申请人 | 芈振伟 | 发明人 | 芈振伟 |
分类号 | C23C14/34(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
代理机构 | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人 | 孙皓晨 |
主权项 | 一种反应气体溅镀装置,其包含有:一反应溅镀腔体;多个阴极氧化板,其设于该反应溅镀腔体的内壁处;至少一磁控阴极溅镀装置,其设于该反应溅镀腔体中;以及至少一阳极气体离子源,其设于该反应溅镀腔体内壁;以及一鼓轮体,其以可转动设于该反应溅镀腔体中;以及一辅助阳极气体离子源,其设于该鼓轮体,并与该鼓轮体连动。 | ||
地址 | 中国台湾台北市 |