低聚噻吩衍生物及其制备方法

摘要

本发明涉及一种低聚噻吩衍生物及其制备方法，低聚噻吩衍生物的制备方法主要包括：将3TB溶于二氯甲烷中，加入NBS搅拌反应，得到3TB-3Br；于三口烧瓶中加入EDOT和四氢呋喃，将反应温度控制在-78℃。滴加正丁基锂，滴加完后逐渐升至室温，并继续反应。然后再将反应温度降到-78℃，滴加三丁基氯化锡，滴加完后将反应温度逐渐升至室温，反应得到EDOT锡试剂；在氮气保护下，于三口烧瓶中加入甲苯，再加入3TB-3Br和EDOT锡试剂以及钯催化剂，回流反应得到3TB-3EDOT的粗产物，经分离得到纯的3TB-3EDOT。其在电化学掺杂时所形成的阳离子（或阴离子）自由基是稳定的，能作为新型有机电致变色材料。

主权项

1.一种低聚噻吩衍生物，其特征在于是1,3,5-三[5′,2"-(3",4"-二氧乙撑-噻吩基)-2′-噻吩基]苯，具有如下的分子结构：