| 发明名称 | 带有浮置阱的放大器 | ||
| 摘要 | 一种低噪声放大器包括具有栅极和源极的第一晶体管，该栅极被配置成接收振荡输入信号，而该源极接地。第二晶体管具有与第一晶体管的漏极相连接的源极，与偏执电压相连接的栅极，以及与输出节点相连接的漏极。第一和第二晶体管中的至少一个包括有与隔离电路相连接的浮置的深n阱。本发明还提供了一种带有浮置阱的放大器。 | ||
| 申请公布号 | CN103378808A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201210299998.0 | 申请日期 | 2012.08.21 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 谢协宏;刘懿萱;李洁涵;叶子祯;周淳朴 |
| 分类号 | H03F1/26(2006.01)I;H03F3/04(2006.01)I | 主分类号 | H03F1/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种低噪声放大器，包括：第一晶体管，具有被配置成接收振荡输入信号的栅极和接地的源极；以及第二晶体管，具有与所述第一晶体管的漏极相连接的源极、与偏置电压相连接的栅极和与输出节点相连接的漏极，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一个包括与隔离电路相连接的浮置深n阱。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||