发明名称 |
光电转换装置的制造方法 |
摘要 |
提供了一种光电转换装置的制造方法。该光电转换装置包括:半导体基板;光电转换元件和MOS晶体管,布置在基板中;多层配线结构,包括多个配线层的叠层和使配线层隔离的层间绝缘膜。该制造方法包括:形成MOS晶体管的栅极和有源区;在基板上形成第一层间绝缘膜;在第一层间绝缘膜中形成第一孔;在第一孔中形成金属膜以形成第一插头,以在有源区之间、栅极之间或者有源区和栅极之间相互连接;在第一层间绝缘膜中形成第二孔;在第二孔中形成金属膜,以形成第二插头,以电连接至任一有源区;形成覆盖第一插头和第二插头的第二层间绝缘膜;根据双镶嵌工艺在第二层间绝缘膜上形成双镶嵌结构。通过此结构,可改进光到光电转换元件上的入射效率。 |
申请公布号 |
CN102142450B |
申请公布日期 |
2013.10.30 |
申请号 |
CN201110042341.1 |
申请日期 |
2008.02.22 |
申请人 |
佳能株式会社 |
发明人 |
成濑裕章;冈川崇;三岛隆一;佐藤信彦;让原浩 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
杨国权 |
主权项 |
一种光电转换装置的制造方法,该光电转换装置包括:半导体基板;光电转换元件和MOS晶体管,其布置在半导体基板中;和多层配线结构,包括具有多个配线的多个配线层的叠层和使配线层彼此隔离的层间绝缘膜,其中,所述制造方法包括:形成MOS晶体管的栅极和多个有源区;在半导体基板上形成第一层间绝缘膜;在第一层间绝缘膜中形成第一孔;在第一孔中形成金属膜,以形成第一插头,所述第一插头用于在多个有源区之间、多个MOS晶体管的栅极之间或者有源区和MOS晶体管的栅极之间进行相互连接;在第一层间绝缘膜中形成第二孔;在第二孔中形成金属膜,以形成第二插头,所述第二插头用于电连接至多个有源区中的任何一个有源区;形成覆盖第一插头和第二插头的第二层间绝缘膜;通过双镶嵌工艺形成直接与第二插头连接的双镶嵌结构,包括在第二层间绝缘膜中形成第三孔和凹槽,该第三孔使得第二插头的上表面露出;以及在第二层间绝缘膜中且在第一插头之上形成多个配线层中的配线层的配线。 |
地址 |
日本东京 |