用于抛光半导体晶片的化学机械抛光液

摘要

本发明提供了一种用于抛光半导体晶片的化学机械抛光液，由如下重量百分比的组分组成：酸性pH调制剂0.2-5％，哌啶类氮氧自由基0.01-5％，表面活性剂0.1-15％，研磨颗粒0.5-20％和余量的水。本发明的抛光液可以在酸性条件下显著改变氮化硅的去除速率，调节二氧化硅与氮化硅的选择比，并具有配制工艺简单、抛光精度高等优点。

主权项

用于抛光半导体晶片的化学机械抛光液，其特征在于，由如下重量百分比的组分组成：酸性pH调制剂0.2‑5%，哌啶类氮氧自由基0.01‑5%，表面活性剂0.1‑15%，研磨颗粒0.5‑20%和余量的水；所述的哌啶类氮氧自由基选自2,2,6,6‑四甲基哌啶‑1‑氧自由基、4‑羟基哌啶醇氧自由基或4‑氧‑2,2,6,6‑四甲基哌啶‑1‑氧自由基中的一种或几种；所述的表面活性剂选自脂肪酸山梨坦、硬脂酸、十八烷基三甲基溴化铵或甜菜碱中的一种或几种。