| 发明名称 | 一种带缓冲层结构晶闸管 | ||
| 摘要 | 本发明的名称为一种带缓冲层结构晶闸管。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有晶闸管在应用于高频大功率变流电源和脉冲功率电源时，存在压降大和开通速度慢等问题。它的主要特征是包括管壳和封装在该管壳内的PNPN四层三端结构的半导体芯片；半导体芯片在P1区和N1区之间加入一个缓冲层N0区，N1区的表面浓度比N0区高10~200倍，又比P1区表面浓度低50~500倍。本发明具有在应用于大功率变流电源和脉冲功率电源时，能明显降低通态压降，从而改善通态能力和提高工作可靠性，同时可更优化内部结构，降低大注入的储存电荷，改善恢复软度的特点，主要用于大功率脉冲电源装置。 | ||
| 申请公布号 | CN103378143A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201210117710.3 | 申请日期 | 2012.04.20 |
| 申请人 | 湖北台基半导体股份有限公司 | 发明人 | 张桥;颜家圣;刘小俐;杨宁 |
| 分类号 | H01L29/74(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/74(2006.01)I |
| 代理机构 | 襄阳嘉琛知识产权事务所 42217 | 代理人 | 严崇姚 |
| 主权项 | 一种带缓冲层结构晶闸管，包括管壳和封装在该管壳内的PNPN四层三端结构的半导体芯片，四层为P1阳极区（1）、N1长基区（2）、阴极端P2区（3）和N2阴极区（4），三个端子分别为阳极（7）、阴极（6）和门极（5），其特征是：在所述的半导体芯片P1阳极区（1）和N1长基区（2）之间加入一个缓冲层N0区（8）；该缓冲层N0区（8）的表面浓度比N1长基区（2）高，又比P1阳极区（1`）表面浓度低。 | ||
| 地址 | 441021 湖北省襄樊市襄城区胜利街162号 | ||