| 发明名称 | 半导体器件的形成方法、鳍式场效应管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有隔离层；形成贯穿所述隔离层厚度的开口；在所述开口内形成第一子鳍部，所述第一子鳍部中包含掺杂离子，且所述第一子鳍部表面低于隔离层表面；在所述开口内形成第二子鳍部，所述第二子鳍部位于所述第一子鳍部表面。相应的，发明人还提供了一种鳍式场效应管的形成方法，形成的半导体器件和鳍式场效应管的漏电流小，器件性能稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN103377898A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201210122574.7 | 申请日期 | 2012.04.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 三重野文健 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有隔离层；形成贯穿所述隔离层厚度的开口；在所述开口内形成第一子鳍部，所述第一子鳍部中包含掺杂离子，且所述第一子鳍部表面低于隔离层表面；在所述开口内形成第二子鳍部，所述第二子鳍部位于所述第一子鳍部表面。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||