沟槽型金属氧化物半导体场效应管及其制作方法

摘要

本发明涉及电子器件领域，公开了一种沟槽型金属氧化物半导体场效应管及其制作方法。本发明中，不同宽度的沟槽，在填充多晶硅后形成两级场板的效果，可以将电场峰值转移至场板末端，即窄多晶硅的底部，同时通过优化长度可以降低电场峰值，提高耐压，提高产品的非钳制电感性开关特性，降低导通电阻，降低产品的导通功耗。沟槽穿透外延层，并深入到衬底中，可以避免沟槽底部存在电场，避免底部发生击穿现象。

主权项

一种沟槽型金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，该场效应管的沟槽中包含多晶硅形成的不同宽度的两级场板。