发明名称 用于半导体器件制造的基板结构及其制造方法
摘要 本发明提出了一种基板结构及其制造方法。该基板结构包括基板阵列,基板阵列包括按照预定方向排列的多个基板,每个所述基板包括相对的第一表面和第二表面,多个基片,其中对于相间隔的基板的每一个,其第二表面与其一侧的相邻基板的第二表面共用一个基片,以形成第一沟槽,且其第一表面与其另一侧的相邻基板的第一表面共用另一个基片,以形成第二沟槽,所述第一沟槽与第二沟槽开口方向相反。本发明有效地利用了衬底的厚度,从而在不增加整个晶圆片尺寸的前提下,提高了晶圆片的可加工的表面积或表面积利用率。并且,可以利用所形成的第一沟槽和第二沟槽在后续的加工工艺中很容易地对基板结构的双侧分别进行不同材料的沉积和处理的工艺,提高了产出和降低了成本。
申请公布号 CN101976657B 申请公布日期 2013.10.30
申请号 CN201010150102.3 申请日期 2010.04.14
申请人 朱慧珑;尹海洲;骆志炯 发明人 朱慧珑;尹海洲;骆志炯
分类号 H01L23/13(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I 主分类号 H01L23/13(2006.01)I
代理机构 北京市立方律师事务所 11330 代理人 张磊
主权项 一种利用衬底进行加工的基板结构,其特征在于,包括:基板阵列,所述基板阵列包括按照预定方向排列的多个基板,每个所述基板包括第一表面和与其相对的第二表面,多个基片,所述多个基片分别设置在所述基板的第一表面和第二表面的外侧,其中:对于相间隔的基板的每一个,其第二表面与其一侧的相邻基板的第二表面共用一个基片,以形成第一沟槽,且其第一表面与其另一侧的相邻基板的第一表面共用另一个基片,以形成第二沟槽,所述第一沟槽与所述第二沟槽开口方向相反,以使所述基板结构形成长城型结构,且第一沟槽和第二沟槽深度方向为衬底的厚度方向。
地址 美国纽约州