一种半导体器件侧墙刻蚀方法及使用该方法制作的半导体器件

摘要

提高共源极运算放大器频率特性的方法包括：对对应于源极端上方、对应于漏极端上方以及栅极上方进行等离子体侧墙薄膜沉积；对对应于所述源极端上方、对应于所述漏极端上方以及所述栅极上方沉积的侧墙薄膜进行等离子体刻蚀方向与衬底上表面的法线方向呈预定角朝对应于所述源极端的上方倾斜的刻蚀，以暴露对应于所述漏极端的第一LDD结构用于形成所述漏极端的部分和对应于所述源极端的第二LDD结构用于形成所述源极端的部分，使得刻蚀后的对应于所述漏极端上方栅极侧墙的厚度大于刻蚀后的对应于所述源极端上方栅极侧墙的厚度；对所述第一LDD结构和所述第二LDD结构的暴露部分分别进行重掺杂和退火工艺，形成与所述漏极端和所述源极端相对应的重掺杂离子区。

主权项

一种半导体器件侧墙刻蚀方法，所述方法包括：沉积步骤，对对应于源极端上方、对应于漏极端上方以及栅极上方进行等离子体侧墙薄膜沉积；斜角引入刻蚀等离子体刻蚀步骤，对对应于所述源极端上方、对应于所述漏极端上方以及所述栅极上方沉积的侧墙薄膜进行等离子体刻蚀方向与衬底上表面的法线方向呈预定角朝对应于所述源极端的上方倾斜的刻蚀，以暴露对应于所述漏极端的第一LDD结构用于形成所述漏极端的部分和对应于所述源极端的第二LDD结构用于形成所述源极端的部分，使得刻蚀后的对应于所述漏极端上方栅极侧墙的厚度大于刻蚀后的对应于所述源极端上方栅极侧墙的厚度；以及重掺杂步骤，对所述第一LDD结构和所述第二LDD结构的暴露部分分别进行重掺杂和退火工艺，从而分别形成与所述漏极端和所述源极端相对应的重掺杂离子区，其中，所述漏极端和所述源极端所对应的两个重掺杂离子区之间的距离保持不变，从而所述半导体器件的有效沟道长度保持不变。