一种Cu₂O多孔微米/纳米立方体的半导体材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种Cu2O多孔微米/纳米立方体结构的半导体材料，其包括硅片衬底和沉积在硅片衬底表面的微米/纳米立方体结构Cu2O晶体，微米/纳米立方体结构Cu2O晶体包括立方体结构和生长在其表面的纳米级分支。本发明还公开了Cu2O多孔微米/纳米立方体结构的半导体材料的制备方法，将无水乙醇和水混合作为溶剂，以Cu(CH3COO)2·H2O和吡咯作为原料，利用水热方法进行制备。本发明制备方法具有产量大，成本低，重复性高等优点。本发明半导体材料的形貌特别，整体结构比表面积大，适用于传感器应用方面；表面的纳米级分支结构有较大的纵横比，有利于尖端放电，适用于场发射等器件。

主权项

一种Cu2O多孔微米/纳米立方体的半导体材料的制备方法，其特征在于，包括：步骤a、将无水乙醇和水混合作为溶剂，加入Cu(CH3COO)2·H2O粉末和吡咯，搅拌均匀得到待反应液；步骤b、将硅片水平放置在反应釜底部，缓缓加入所述待反应液；步骤c、将所述反应釜密封，于160‑190℃下反应2.5‑3小时；步骤d、取出硅片，于60‑70℃下烘干，得到所述Cu2O多孔微米/纳米立方体的半导体材料；其中，所述Cu2O多孔微米/纳米立方体的半导体材料包括硅片衬底和沉积在所述硅片衬底表面的微米/纳米立方体结构Cu2O晶体；所述微米/纳米立方体结构Cu2O晶体包括立方体结构和生长在所述立方体结构表面的纳米级分支；其中，所述纳米级分支沿着<110>方向且垂直于所述立方体结构的边界生长；所述立方体结构的边界长为3‑5μm，所述纳米级分支的长度为10nm‑1μm。