| 发明名称 | 一种混合集成光探测器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种混合集成光探测器及其制备方法，涉及光通信领域。所述混合集成光探测器包括：键合在一起的介质膜型滤波器和InGaAs光电二极管；所述介质膜型滤波器包括衬底，以及设置在衬底正面的介质膜层和设置在所述衬底背面的减反射膜；所述衬底采用Si、InP或者GaAs；所述介质膜层为垂直多腔结构。所述混合集成光探测器及其制备方法，采用Si、InP或者GaAs作为衬底，有利于与其他有源或无源光器件进行集成；采用InGaAs光电二极管与介质膜型滤波器键合在一起，使所述混合集成光探测器具有更好的平顶陡边窄带频谱响应，提高了通带效果，可用于信道间隔为100GHz的密集波分复用接收的应用，降低了通信成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103378209A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201210147762.5 | 申请日期 | 2012.05.11 |
| 申请人 | 北京邮电大学 | 发明人 | 任晓敏;范鑫烨;段晓峰;黄永清;王琦;张霞;蔡世伟 |
| 分类号 | H01L31/11(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 王莹 |
| 主权项 | 一种混合集成光探测器，其特征在于，包括：键合在一起的介质膜型滤波器和InGaAs光电二极管；所述介质膜型滤波器包括衬底，以及设置在所述衬底正面的介质膜层和设置在所述衬底背面的减反射膜；所述衬底采用Si、InP或者GaAs；所述介质膜层为垂直多腔结构。 | ||
| 地址 | 100876 北京市海淀区西土城路10号北京邮电大学 | ||