| 发明名称 | 磁场传感器 | ||
| 摘要 | 本发明涉及磁场传感器。本发明的实施例提供一种磁场传感器。所述磁场传感器包括至少四个XMR元件，所述XMR元件被连接在包括并联分支的全桥电路中。所述至少四个XMR元件是GMR或TMR元件（GMR=巨磁阻；TMR=隧道磁阻）。所述全桥电路的两个对角线XMR元件包括相同形状各向异性，其中所述全桥电路的同一分支中的XMR元件包括不同形状各向异性。 | ||
| 申请公布号 | CN103376426A | 申请公布日期 | 2013.10.30 |
| 申请号 | CN201310137649.3 | 申请日期 | 2013.04.19 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | W.拉贝格 |
| 分类号 | G01R33/09(2006.01)I | 主分类号 | G01R33/09(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马永利;卢江 |
| 主权项 | 一种磁场传感器，其包括：被连接在包括并联分支的全桥电路中的至少四个XMR元件，其中所述至少四个XMR元件是GMR或TMR元件；其中，所述全桥电路的两个对角线XMR元件包括相同形状各向异性，并且其中所述全桥电路的同一分支中的XMR元件包括不同形状各向异性。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||