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发明名称
Integrated circuit and production method
摘要
An integrated circuit and a production method is disclosed. One embodiment forms reverse-current complexes in a semiconductor well, so that the charge carriers, forming a damaging reverse current, cannot flow into the substrate.
申请公布号
US8569865(B2)
申请公布日期
2013.10.29
申请号
US201213424792
申请日期
2012.03.20
申请人
STECHER MATTHIAS;INFINEON TECHNOLOGIES AG
发明人
STECHER MATTHIAS
分类号
H01L21/70
主分类号
H01L21/70
代理机构
代理人
主权项
地址
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