| 摘要 |
Sposób wytwarzania powloki ochronnej na materialach termoelektrycznych charakteryzuje sie tym, ze sporzadza sie zestaw surowcowy zawierajacy nastepujace tlenki w % wagowych: 30,0-60,0 SiO2, 10,0-16,0 Na2O, 12,0-18,0 TiO2, 2,0-7,0 K2O, 5,0-10,0 Al2O3, 0-5,0 ZnO, 0,5-2,5 P2O5, 0-1,5 CuO, 0-1,0 CoO oraz 0-1,0 MoO3. Mieszanke topi sie w temperaturze 900-1300°C na jednorodna mase, która frytuje sie, po czym uzyskana fryte mieli na proszek o uziarnieniu 10-60 ?m i nanosi go na material termoelektryczny znanymi metodami. Nastepnie powloke wypala sie w temperaturze 650-750°C przez 2-7 minut. Korzystnie do otrzymanego poprzez zmielenie fryty proszku wprowadza sie dodatki, których zawartosc w suchej masie wynosi do 12% wagowych, przy czym jako dodatki stosuje sie SiO2 w ilosci 0-5% wagowych, Cr2O3 w ilosci 0-2% wagowych oraz gline w ilosci 0-5% wagowych. Proszek wraz z dodatkami mieli sie w mlynie kulowym na mokro przez 1-5 godzin, po czym kompozycje w postaci zawiesiny nanosi na material termoelektryczny metoda mokra.
|
