| 摘要 |
1. Способ получения слоя на основе оксида циркония на покрываемой подложке, с использованием реактивного дугового распыления, с пульсирующим током искрового разряда и/или с приложением ортогонального искровой мишени магнитного поля, отличающийся тем, что используют смешанную мишень, включающую элементарный цирконий и по меньшей мере один стабилизатор.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что получают слой с кубической и/или тетрагональной кристаллической структурой.3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что выбирают парциальное давление кислорода выше 0,1 Па, предпочтительно по меньшей мере до 10 Па.4. Способ по п.1, отличающийся тем, что концентрационное соотношение оксида циркония и стабилизатора на слое по меньшей мере по существу задается концентрационным соотношением элементарного циркония и стабилизатора на смешанной мишени.5. Способ по п.1, отличающийся тем, что кубической и/или тетрагональной кристаллической структуры достигают выбором концентрации стабилизатора в смешанной мишени.6. Способ по п.1, отличающийся тем, что для формирования слоя с заданной морфологией применяют парциальное давление кислорода как по существу произвольный регулировочный параметр по меньшей мере в отношении создания кубической и/или тетрагональной кристаллической структуры.7. Способ по п.1, отличающийся тем, что реакционный газ, помимо кислорода, включает азот.8. Способ получения слоя на основе оксида циркония на покрываемой подложке, с использованием реактивного дугового распыления, с пульсирующим током искрового разряда и/или с приложением ортогонального искровой мишени магнитного поля, отличающийся тем, что используют цир |
