Chemisch-Mechanische Planarisierungsprozesse zum Herstellen von Finfet-Einheiten

摘要

Ein Verfahren zum Planarisieren weist das Planarisieren eines Halbleiter-Wafers in einem ersten chemisch-mechanischen Polierschritt auf, um Materialüberschuss zu entfernen und eine oberste Schicht so zu planarisieren, dass eine Dicke des Materials der obersten Schicht über darunterliegenden Schichten zurückbleibt. Das Material der obersten Schicht wird in einem zweiten chemisch-mechanischen Polierschritt planarisiert, um die oberste Schicht weiter zu entfernen und darunterliegende Schichten eines zweiten Materials und eines dritten Materials derart freizulegen, dass eine Selektivität des Materials der obersten Schicht zum zweiten Material und zum dritten Material zwischen ungefähr 1:1:1 und ungefähr 2:1:1 liegt, um eine ebene Topografie bereitzustellen.