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<p>Verfahren zur Herstellung eines SOI-Bauelements mit Einstellen einer ersten Dicke (103r) eines Bereichs (103n) einer Halbleiterschicht (103), die auf der vergrabenen isolierenden Schicht (102) gebildet ist, wobei der erste Bereich ein aktives Gebiet eines n-Kanaltransistors repräsentiert (150n); Einstellen einer zweiten Dicke (103j) eines zweiten Bereichs (103p) der Halbleiterschicht (103), wobei der zweite Bereich ein aktives Gebiet eines p-Kanaltransistors (150p) repräsentiert und wobei die erste Dicke (103r) kleiner ist als die zweite Dicke (103j); Bilden einer ersten Gateelektrodenstruktur (151n) über dem aktiven Gebiet des n-Kanaltransistors; Bilden einer zweiten Gateelektrodenstruktur (151p) über dem aktiven Gebiet des p-Kanaltransistors, wobei eine Dicke (151u) eines Elektrodenmaterials (151b) der ersten Gateelektrodenstruktur größer ist als eine Dicke (151v) eines Elektrodenmaterials der zweiten Gateelektrodenstruktur; und Bilden von Drain- und Sourcegebieten (152) in dem aktiven Gebiet des n-Kanaltransistors und des p-Kanaltransistors, wobei das Bilden von den Drain- und Sourcegebieten (152) nach dem Bilden von der ersten und dem Bilden von der zweiten Gateelektrodenstruktur (151n; 151p) erfolgt.</p> |
