| 摘要 |
Bei einem Verfahren zur Herstellung eines rückwärts sperrenden Halbleiterelements wird eine sich verjüngende Rille gebildet und werden Ionen in eine hintere Oberfläche und die sich verjüngende Rille implantiert. Dann werden ein Ofenglühprozess und ein Laserglühprozess durchgeführt, um eine hintere Kollektorschicht und eine Trennschicht (4) auf der Seitenoberfläche der sich verjüngenden Rille zu bilden. Auf diese Weise ist es möglich, selbst bei einem einen Prozess zum Herstellen einer durch Bilden einer sich verjüngenden Rille und Durchführen einer Ionenimplantation und eines Glühprozesses für die Seitenoberfläche der sich verjüngenden Rille gebildeten Diffusionsschicht als der Trennschicht (4) zum Krümmen des Abschlusses eines Rückwärts-Durchbruchspannungs-pn-Übergangs, so dass dieser sich bis zur Oberfläche ausdehnt, aufweisenden Herstellungsverfahren eine Rückwärts-Durchbruchspannung sicherzustellen und einen Reststrom zu verringern, wenn eine Vorspannung in Sperrrichtung angelegt wird. |
