| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Heften von Chips (4) auf ein Substrat (1) an auf einer Oberfläche (1o) des Substrats (1) verteilten Chippositionen (1c), wobei eine Funktionsschicht (7) (z.B. ein Polymer mit der sogenannten B-Stage Eigenschaft) auf dem Substrat (1) ausgebildet oder aufgebracht wird, die zumindest in Bereichen von Kontakten (2) freigelegt ist, und wobei Chips (4) auf eine Chipkontaktseite (7o) der Funktionsschicht (7) an den Chippositionen (1c) geheftet und Kontakte (2) über Kontaktelemente (3) kontaktiert werden. Die Freilegung von Funktionsschichtbereichen kann zusätzlich eine Freilegung einer ausserhalb der Chippositionen (1c) angeordneten Freifläche (1f) der Oberfläche (1o) und eine Ausbildung von Kanälen (5) umfassen, die von den Kontakten (2) beginnen und an der Freifläche (1f) enden. Durch die beanspruchte Lösung wird die elektrische Kontaktierung der Chips verbessert und gleichzeitig die Ausrichtungsgenauigkeit erhöht, da die Funktionsschicht nicht von den Kontaktelementen durchdrungen werden muss, und auch wird die Auswahl an zur Verfügung stehenden Materialien für die Funktionsschicht erweitert, da weder eine Kapillarwirkung erforderlich ist, um die Funktionsschicht zwischen die Chips und die Substratoberfläche einzubringen noch ein Durchdringen der Funktionsschicht mit den Kontaktelementen unter Aufwendung einer Verdrängungskraft erforderlich ist.</p> |
