发明名称 |
Verfahren zum Ausbilden von Halbleiterbauelementen |
摘要 |
Bei einer Ausführungsform beinhaltet ein Verfahren zum Ausbilden eines Halbleiterbauelements das Ausbilden von Öffnungen (60) in einem Substrat (10). Das Verfahren beinhaltet das Ausbilden eines Dummyfüllmaterials (70) innerhalb der Öffnungen (60) und das Dünnen des Substrats (10), um das Dummyfüllmaterial (70) freizulegen. Das Dummyfüllmaterial (70) wird entfernt. |
申请公布号 |
DE102013104048(A1) |
申请公布日期 |
2013.10.24 |
申请号 |
DE201310104048 |
申请日期 |
2013.04.22 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
DENIFL, GUENTER;KAHN, MARKUS;STRANZL, GUDRUN;ZGAGA, MARTIN |
分类号 |
H01L21/301;H01L21/768;H01L21/78 |
主分类号 |
H01L21/301 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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