发明名称 Halbleitereinheit
摘要 <p>Eine Halbleitereinheit weist auf: einen integrierten Halbleiterschaltungschip mit einem Eingangsanpassungskreis, zu welchem ein Hochfrequenzsignal eingegeben ist oder wird, und welcher in einem Die-Bond-Gebiet angeordnet ist, und Leitungsanschlüsse, die in einer Umgebung des Die-Bond-Gebiets angeordnet sind, wobei Anschlüsse des integrierten Halbleiterchips mit Verbindungsleitungen mit den Leitungsanschlüssen verbunden sind. Bei der Halbleitereinheit ist der integrierte Halbleiterschaltungschip in oder an einer Stelle angeordnet, die von einer zentralen Position des Die-Bond-Gebiets zu einer Seite eines Hochfrequenzeingangsanschlusses verschoben ist, welcher der Leitungsanschluss zum Eingeben des Hochfrequenzsignals zum Eingangsanpassungskreis ist, und/oder zu der Seite eines Erdungsanschlusses, welcher der Leitungsanschluss für eine Erdungsverbindung des Eingangsanpassungskreises ist.</p>
申请公布号 DE112011103767(T5) 申请公布日期 2013.10.24
申请号 DE201111103767T 申请日期 2011.02.02
申请人 SHARP KABUSHIKI KAISHA 发明人 KOUTANI, MASATO
分类号 H01L23/12;H04B1/18 主分类号 H01L23/12
代理机构 代理人
主权项
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