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Verfahren zur Herstellung eines Infrarotsensors auf einem Halbleitersubstrat (1), mit den Schritten•Festlegen wenigstens eines auszusparenden Bereichs (12) auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats, wo eine Aussparung (4) im Halbleitersubstrat (1) geschaffen werden soll, wobei zur Festlegung des auszusparenden Bereichs (12) ein n-Dotieren von nicht auszusparenden Bereichen (14) der Oberfläche des Halbleitersubstrats (1) vorgesehen ist,•Abscheiden einer Membran (13) auf der Oberfläche, wobei vor dem Abscheiden der Membran (13) das Halbleitermaterial in dem auszusparenden Bereich (12) durch anodische Oxidation porös gemacht wird,•Aufbringen eines Strahlungsabsorbers (5) auf der Membran (13) im festgelegten Bereich (12),•Aufbringen von Thermoelementen (6) mit einem heißen Kontakt in thermischem Kontakt mit dem Strahlungsabsorber (5) und einem kalten Kontakt (7) in thermischem Kontakt mit dem Halbleitersubstrat (1),•Bilden einer Öffnung in der Membran (13) in dem festgelegten Bereich (12) und Ätzen des Halbleitersubstrats (1) durch die Öffnung hindurch.
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