蓝宝石单晶及其制备方法

摘要

本发明通过c轴提拉制备大口径、长尺寸且高品质的蓝宝石单晶。在蓝宝石单晶的制备中，使c轴蓝宝石晶种浸渍于坩埚内的氧化铝熔体中，在使晶种旋转的同时向上方提拉，使之在c轴方向生长。此时，在氧化铝熔体的液面下进行晶种的晶体生长，与此同时以规定的提拉速度提拉晶种，使晶种的液体中生长部分不到达坩埚的底面。此时，控制使液体中生长部分的侧面形状呈向下方突出的近V字形状。

主权项

蓝宝石单晶的制备方法，其为使c轴蓝宝石晶种浸渍于坩埚内的氧化铝熔体中，在使所述晶种旋转的同时向上方提拉，在所述晶种的下端使蓝宝石单晶在c轴方向生长的蓝宝石单晶的制备方法，其特征在于，在所述氧化铝熔体的液面下使所述蓝宝石单晶生长，与此同时向上方提拉所述晶种使在所述熔体内生长的单晶生长部分不到达所述坩埚的底面。