| 发明名称 | 发光元件 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种发光元件，其至少包括：基板；镜面系统，位于所述基板之上，由金属反射层和透光层构成；发光外延层，位于所述镜面系统之上，其至少包含n型半导体层、发光层和p型半导体层；其特征在于：所述透光层由具第一折射率n1的介质部和具第二折射率n2的导电部构成，所述介质部与导电部水平排列，其中n1≠n2。其结构可以有效提高器件的取光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN203250778U | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201320237458.X | 申请日期 | 2013.05.06 |
| 申请人 | 天津三安光电有限公司 | 发明人 | 申利莹;董木森;吴俊毅;陶青山;蔡文必 |
| 分类号 | H01L33/44(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/44(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种发光元件，包括：基板；镜面系统，位于所述基板之上，由金属反射层和透光层构成；发光外延层，位于所述镜面系统之上，其至少包含n型半导体层、发光层和p型半导体层；其特征在于：所述透光层由第一折射率n1的介质部和第二折射率n2的导电部构成，所述介质部与导电部水平排列，其中n1≠n2。 | ||
| 地址 | 300384 天津市滨海新区华苑产业区海泰南道20号 | ||