发明名称 | 双L型均流耐应力IGBT模块母排端子 | ||
摘要 | 本发明公开了一种双L型均流耐应力IGBT模块母排端子,包括发射极母排和集电极母排,所述发射极母排的下方设有两个L型的第一引脚,所述集电极母排的下方设有两个L型的第二引脚,所述两个第一引脚、两个第二引脚在焊接时处于同一条直线上。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、操作简便、良好的均流特性和耐应力特性等优点。 | ||
申请公布号 | CN103367284A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
申请号 | CN201310278087.4 | 申请日期 | 2013.07.04 |
申请人 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 发明人 | 常桂钦;彭勇殿;李继鲁;吴煜东 |
分类号 | H01L23/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/48(2006.01)I |
代理机构 | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人 | 赵洪;周长清 |
主权项 | 一种双L型均流耐应力IGBT模块母排端子,包括发射极母排(6)和集电极母排(7),其特征在于,所述发射极母排(6)的下方设有两个L型的第一引脚(601),所述集电极母排(7)的下方设有两个L型的第二引脚(701),所述两个第一引脚(601)、两个第二引脚(701)在焊接时处于同一条直线上。 | ||
地址 | 412001 湖南省株洲市石峰区时代路169号 |