| 发明名称 | 极紫外光刻工艺和掩模 | ||
| 摘要 | 公开了一种极紫外光刻(EUVL)的工艺。该工艺包括：接收具有多种形态件的极紫外(EUV)掩模。将EUV掩模的不同形态件分配给邻近的多边形和场。通过部分相干性σ小于0.3的几乎轴上照明(ONI)暴露EUV掩模以产生衍射光和非衍射光。去除大部分非衍射光。通过投影光学箱聚集并引导衍射光和未被去除的非衍射光以暴露目标。本发明提供了极紫外光刻工艺和掩模。 | ||
| 申请公布号 | CN103365110A | 申请公布日期 | 2013.10.23 |
| 申请号 | CN201310036569.9 | 申请日期 | 2013.01.30 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 游信胜;卢彦丞;严涛南 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F1/24(2012.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种极紫外光刻(EUVL)工艺，包括：接收具有三种形态件的极紫外(EUV)掩模：反射系数为r1的第一形态件、反射系数为r2的第二形态件以及反射系数为r3的第三形态件，其中，r1的绝对值大于r2的绝对值，r2的绝对值大于r3的绝对值，r1和r2的相位差在160°到200°的范围内，r2和r3的相位差在160°到200°的范围内，以及r3和r1的相位差小于40°，并且其中，将所述第一形态件和所述第二形态件分配给邻近的多边形，而将所述第三形态件分配给场，所述场是没有多边形的区域；通过部分相干性σ小于0.3的几乎轴上照明(ONI)暴露所述EUV掩模以产生衍射光和非衍射光；去除多于70％的所述非衍射光；以及通过投影光学箱(POB)聚集并引导所述衍射光和未被去除的非衍射光以暴露目标。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||