发明名称 |
大马士革结构的制作方法 |
摘要 |
一种大马士革结构的制作方法,其包括:在金属导电层上依次形成介电层、掩模层;以至少经过一次图形化处理的掩模层为掩模、对介电层进行刻蚀,在介电层中形成暴露金属导电层的沟槽、孔;利用包含浓双氧水与EKC575的溶液对沟槽、孔进行第一清洗处理;然后,在等离子体反应腔室中利用包含N2与H2的混合气体对沟槽、孔进行处理;然后,利用稀氢氟酸对沟槽、孔进行第二清洗处理。本发明在刻蚀形成大马士革结构中的孔、沟槽之后,通过选择合适的清洗处理方法,在有效去除杂质的同时,使大马士革结构下方的金属导电层不会产生笑脸缺陷,提高了大马士革结构所在集成电路的电学性能。 |
申请公布号 |
CN103367233A |
申请公布日期 |
2013.10.23 |
申请号 |
CN201210088627.8 |
申请日期 |
2012.03.29 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
胡敏达;张城龙;张海洋 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种大马士革结构的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:在金属导电层上依次形成介电层、掩模层;以至少经过一次图形化处理的所述掩模层为掩模、对所述介电层进行刻蚀,在所述介电层中形成暴露所述金属导电层的沟槽、孔;利用包含浓双氧水与EKC575的溶液对所述沟槽、孔进行第一清洗处理;第一清洗处理之后,在等离子体反应腔室中利用包含N2与H2的混合气体对所述沟槽、孔进行处理;利用稀氢氟酸对所述沟槽、孔进行第二清洗处理。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |